Fotodiodos InGaAs de alta velocidad con tamaños de área activa de 75 µm, 120 µm, 300 µm, 400 µm y 500 µm

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Fotodiodos InGaAs de alta velocidad con tamaños de área activa de 75 µm, 120 µm, 300 µm, 400 µm y 500 µm

Name: Fotodiodos InGaAs de alta velocidad con tamaños de área activa de 75 µm, 120 µm, 300 µm, 400 µm y 500 µm
Brand: JAVOLVISION Infrared Camera Cores and Components
SKU: 18329945
Rating: 4.75 (10 reviews)

Categoría	Fotodiodos InGaAs
English details	High Speed InGaAs Photodiodes with Active Area Sizes of 75µm, 120µm, 300µm, 400µm and 500µm
Marca	JAVOLVISION Infrared Camera Cores and Components
forma de pago	T/T
Tiempo de Actualización	2024/4/26

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Descripción

FOTODIODOS DE INGaAs DE ALTA VELOCIDAD

La serie FCI-InGaAs-XXX con tamaños de área activa de 75 µm, 120 µm, 300 µm, 400 µm y 500 µm, presenta las características necesarias para aplicaciones de telecomunicaciones y datos. Baja capacitancia, baja corriente oscura y alta capacidad de respuesta de 1100 nm a 1620 nm hacen que estos dispositivos sean ideales para receptores de alta velocidad de bits utilizados en LAN, MAN, WAN y otros sistemas de comunicación de alta velocidad. Los fotodiodos están empaquetados en latas TO-46 aisladas de plomo o con ventanas planas o micro lentes con revestimiento AR para mejorar la eficiencia del acoplamiento. La serie FCI-InGaAs-XXX también se ofrece con receptáculos FC, SC, ST y SMA.

CARACTERÍSTICAS

•Alta velocidad

• Alta capacidad de respuesta

•Ruido bajo

• Rango espectral de 900 nm a 1700 nm

Puntaje máximo absoluto

PARAMETROS	SÍMBOLO	MIN	MAX	UNIDADES
Temperatura de almacenamiento	T_STG	-55	+125	℃
Temperatura de funcionamiento	T_OP	-40	+75	℃
Temperatura de soldadura	T_sld	-	+160	℃

CARACTERÍSTICAS ELECTROÓPTICAS （T_{A= 23 ℃）}

Parámetro	Símbolo	Condiciones	FCI-InGaAs-75			FCI-InGaAs-120			FCI-InGaAs-300			FCI-InGaAs-400			FCI-InGaAs-500			Unidades
Parámetro	Símbolo	Condiciones	Min	Typ	Max	Min	Typ	Max	Min	Typ	Max	Min	Typ	Max	Min	Typ	Min	Unidades
Diámetro del área activa	Automóvil club británico_	---	---	75	---	---	120	---	---	300	---	---	400	---	---	500	---	μm
Responder sividad	R_	= 1310 nm	0,80	0,90	---	0,80	0,90	---	0,80	0,90	---	0,80	0,90	---	0,80	0,90	---	A / W
Responder sividad	R_	= 1550 nm	0,9	0,95	---	0,9	0,95	---	0,9	0,95	---	0,9	0,95	---	0,9	0,95	---	A / W
Capacidad	C_j	V_{R= 5,0 V}	---	1,5	---	---	2.0	---	---	10.0	---	---	14.0	---	---	20,0	---	pF
Corriente oscura	I_D	V_R= 5,0 V	---	0,03	2	---	0,05	2	---	0,03	5	---	0,04	5	---	0,05	20	n / A
Tiempo de riesgo / tiempo de caída	t_r/ t_F	VR= 5,0 V, RL= 50Ω 10% a 90%	---	---	0,20	---	---	0,30	---	---	1,5	---	---	3,0	---	---	10.0	ns
Max. tensión inversa	---	---	---	---	20	---	---	20	---	---	15	---	---	15	---	---	15	V
Max. corriente inversa	---	---	---	---	1	---	---	2	---	---	2	---	---	2	---	---	2	mamá
Max. corriente directa	---	---	---	---	5	---	---	5	---	---	8	---	---	8	---	---	8	mamá
NEP	---	---	---	3.44E-15	---	---	4.50E-15	---	---	6.28E-15	---	---	7.69E-15	---	---	8.42E-15	---	W /Hz

Solicitud

• Comunicaciones ópticas de alta velocidad

• Receptor de fibra óptica monomodo / multimodo • Gigabit Ethernet / Fibre Channel • SONET / SDH, ATM

• Grifos ópticos

Diagrama de estructura del producto

IServicio postventa

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Cualquier otra pregunta, bienvenido a enviarnos un correo electrónico.

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